Пусть, например, имеется ячейка с сопротивлением насыщения 60 ом, сопротивлением между коллекторными контактами 120 ом и емкостью коллекторного перехода 1,5 пф. На рис. 14 представлена схема простого вентиля на 3 входа, на рис. 15 показана матрица из 24 элементов с соответствующими соединениями, обеспечивающими эту схему. Даже если каждая ячейка вместе с ее изоляцией будет занимать площадь 125X125 мк, то размеры всей схемы будут всего 0,75X0,5 мм. Однако это — только пример, и мы вполне можем рассчитывать на то, что будем иметь дело с гораздо большим числом более мелких ячеек (скажем, размером 50 мк или меньше, в зависимости от усовершенствования техУнологии). Рис. 15 иллюстрирует только принцип, однако, следуя этому принципу, можно разрабатывать более сложные схемы, включающие диоды и конденсаторы. Основным принципом является то, что для одного «эквивалентного компонента» используется всегда несколько ячеек.
Выбор конфигурации зависит в основном от той функции, которую должно выполнять изготавливаемое устройство, однако следует учитывать и возможность избыточности. Например, транзисторы могли бы состоять из последовательно-параллельных комбинаций, отказывающих только тогда, когда выходят из строя все соответствующие ячейки. Кроме того, можно было бы использовать контрольную запись, полуденную при испытаниях подложки, для воздействия на программу, определяющую процесс формирования той или иной функции. Наконец, можно было бы применить электронный луч как для испытаний, так и для формирования заданной функции на подложке с ячеечной структурой. Переход от компонентов к функциональным схемам
Все ИС, описанные до сих пор, базировались на воспроизведении обычных активных и пассивных компонентов при помощи интегральной технологии. Многие разработчики инстинктивно чувствовали, что это неудовлетворительный подход к разработке ИС и что необходимо обойти этап формирования компонентов с тем, чтобы реализовать выполнение требуемой функции непосредственно. Однако до недавнего времени не было никаких сведений о том, каким путем это может быть достигнуто. Изучение взаимодействия дрейфующих носителей с решеткой в монолитном полупроводнике показало, что кроме модуляции потока носителей в области переходов существуют другие пути построения электронных приборов. Явления в твердом теле позволяют обеспечить непрерывное взаимодействие на всем пути дрейфа носителей.