На стадии исследований описанный метод позволяет определять расположение основных частей микросхемы при настройке. После того как начато серийное производство, этот же метод должен быть использован для дефектов -путем проверки пластины по точкам. Однако в таких микроскопах электронный зонд бомбардирует поверхность с энергией 30 кэв, что может привести к повреждению образца. Этого можно избежать, если использовать отражательный электронный микроскоп, который к тому же имеет большую чувствительность к электрическим и магнитным полям [4]. В отражательном микроскопе электронный луч не стягивается в столь узкий пучок, а образец в целом находится под тем же потенциалом, что и электронная пушка. Электроны, приблизившиеся к поверхности образца, поворачивают обратно с расстояния, соответствующего энергии в несколько электрон-вольт, и возникает карта потенциального рельефа, обусловленная взаимодействием с электрическим полем вблизи образца, а не контактом с самой поверхностью. Конечно, микроскопов, растровый и отражательный, -можно совместить в одном приборе, что вытекает из общих положений, касающихся реверсивности лучей в таких системах [5].
Мощность электронного луча диаметром 1 мк приблизительно в 100 раз больше, чем мощность, используемая в электронной микроскопии, и достаточна для испарения тонких пленок. Таким образом, электронный луч растрового микроскопа можно использовать и при изготовлении микросхем. Подробный материал об электронно-оптической системе, предназначенной для таких целей (фирма «Хилгер энд Ватте Интеркол»), можно найти в работе [6]. Трехлинзовый растровый микроскоп с одной отключенной линзой можно использовать для травления пластин, а вновь подключив линзу,— наблюдать полученные результаты. С помощью этого метода было получено много полезной информации [7].
Имеется целый ряд других вариантов применения электроннолучевой оптики в микроэлектронике. К их числу относится электроннолучевое экспонирование фоторезистов (как позитивных, так и негативных), полимеризация изоляционных материалов из парообразного состояния, осаждение проводников из парообразного состояния, травление с образованием ионов, масштабное уменьшение трафаретов и шаблонов для одновременного изготовления комплекта микросхем; генераторы считывания с бегущим лучом и профильной маской на экране. Для всех этих применений требуются электронные микроскопы с высокой разрешающей способностью. При решении важнейших задач микроэлектроники сегодняшнего и завтрашнего дня, таких, как межсоединения, монтаж в корпус, метрика и производство, растровые и другие типы поверхностных электронных микроскопов столь же необходимы, как в свое время были нужны обычные оптические микроскопы.