Выше было показано, что в непрерывно откачиваемой системе существуют направленные потоки газа, которые выражены тем сильнее, чем в большей степени локализовано выделение газа. Рассмотрим теперь неточности, возникающие при измерении давления, когда используется формула для равновесного состояния S0/?x=Q. Если молекулы газа поступают во всасывающее сопло насоса хаотически (поскольку диаметр камеры больше, чем диаметр насоса, и молекулы газа из любого локализованного источника рассеиваются при столкновениях со стенками), то равновесное давление можно измерить, размещая датчик манометра (рис. 1) либо на основной плате, либо на цилиндре камеры (на расстоянии радиуса камеры от основной платы).
Тем не менее иногда вследствие неосведомленности или из коммерческих соображений или просто вследствие беззаботности монтируют датчик манометра в трубе диффузионного насоса. В других случаях только входное отверстие манометра оказывается расположенным вблизи азотной ловушки над насосом. Когда датчик находится в трубопроводе насоса, он показывает давление ниже истинного давления в камере.

Главные источники загрязнения вакуумных систем органическими веществами — смазки вакуумных насосов и уплотнения. Смазочные масла в роторных насосах могут иметь давление испарения при 15° С около 10~4 тор и значительно больше при рабочей температуре насоса (~40°С). На первой стадии откачки высокое начальное давление газа и встречный поток газа предотвращают диффузию паров смазочных масел в камеру, но когда давление падает приблизительно до 0,1 тор, диффузия этих паров становится существенной.

В другом варианте используются пластинки с п+- и /z-слоями, покрывающими всю поверхность подложки. Тогда изоляция достигается /-диффузией сквозь оба эти слоя. Данный метод имеет то преимущество, что можно использовать стандартные пластины вместо пластин, требующих специальной предэпитаксиальной обработки для каждой отдельной схемы. Недостатками метода являются трудности в получении низкого сопротивления насыщения и несколько более широкие изолирующие каналы вследствие бокового распространения примеси при разделительной р+-диффузии.
Следующим процессом является диффузия базы, которая обычно объединяется с диффузией поверхностного изолирующего /?+-канала и диффузией резисторов.