Выражение (7) справедливо только для простых транзисторов с однородной базой. Обеспечив определенное пространственное распределение примесей в базе, можно создать в ней внутреннее электрическое поле, которое будет способствовать диффузии носителей. Тем самым уменьшится время переноса и улучшатся свойства прибора.
Выражения (6) и (7) описывают выходные характеристики транзистора. Входную характеристику в первом приближении можно получить, пренебрегая влиянием коллекторного напряжения на ток базы и опуская единицу в уравнении (5) для р-п перехода, считая, что он смещен в прямом направлении.