Если концентрация /г0, а вместе с нею и емкость Сп достаточно велики, то плоскостной диод, смещенный в обратном направлении, ведет себя на звуковых и радиочастотах как конденсатор с малой утечкой. Более того, величину емкости можно менять, меняя U. Последнее свойство объясняется тем, что при заданной максимальной плотности неподвижного заряда внешнее поле должно вызывать изменение ширины пространственного заряда. Практически это свойство обеспечивает реализацию одного из необходимых компонентов твердых схем — переменного конденсатора.
Конечно, таким конденсаторам свойствен ряд ограничений (в первую очередь, ограничена максимальная емкость), но в данной главе обсуждаются вопросы физики, а не техники. Максимальное обратное напряжение, которое может быть приложено к переходу, принципиально ограничено максимальным электрическим полем в переходе
которое возрастает с увеличением отрицательного смещения.
Когда ЯМакс приближается к некоторому критическому значению, может начаться генерация дополнительных электронов и дырок путем ударной ионизации аналогично газовому разряду. Если п0 велико и область пространственного заряда имеет недостаточную ширину для ускорения электронов, может возникнуть другое явление, при котором электроны буквально «отдираются» от"атомов. С точки зрения квантовой механики это явление описывается как туннельный переход через
при достаточно большом обратном напряжении, определяется (на единицу площади) какпотенциальный барьер (механизм этого явления был впервые теоретически изучен Зенером). В обоих случаях ток через переход быстро возрастает и диод перестает быть качественным конденсатором. Однако получающийся при пробое крутой участок вольтамперной характеристики имеет техническое применение. Такие диоды, работающие в области пробоя, называют зенеровскими, независимо от того, какой из двух механизмов пробоя превалирует..
При очень больших значениях по напряженность