Если параметрический прибор имеет малые размеры по сравнению с длиной волны усиливаемого сигнала (например, если обычный плоскостной диод используется для усиления звуковых квантов), то указанное выше фазовое соотношение необходимо и достаточно. Если, однако, мы имеем усилитель с бегущей волной, например упомянутый ранее усилитель на железоиттриевом гранате, то необходимо, чтобы волны сигнала, накачки и холостой частоты оставались в фазе в течениевсего времени прохождения через нелинейную усилительную среду. Это возможно только, если фазовые скорости всех трех волн одинаковыйли, на языке оптикгдвдвдцгде k]f2,3 — волновые векторы сигнала, холостой частоты и накачки соответственно.

Целый ряд фирм разработали надежные способы производства интегральных полупроводниковых схем, основанных на применении монокристаллических кремниевых пластинок. В настоящее время путем чередования процессов диффузии примесей и травления стало возможным создание в одной маленькой пластинке целых функциональных блоков, содержащих резисторы, конденсаторы (в виде обратносмещенных р-п переходов), активные элементы и все необходимые соединения.

Усовершенствование технологии напыленных пленок дает надежду на получение тонкопленочных полевых транзисторов. В свое время низкая подвижность электронов в CdS настораживала некоторых разработчиков, но уже достигнутые значения удельных сопротивлений напыленных пленок 108 ом\см и эффективных подвижностей около 100 см2/сек в могут привести к разработке приборов с приемлемыми характеристиками в частотном диапазоне до десятков мегагерц. Другими материалами, которые, может быть, окажутся предпочтительными, являются CdSe (запрещенная зона 1,7 эв), CdTe (запрещенная зона 1,5 эв) и ZnSe (запрещенная зона 2,6 эв). Весьма перспективен для применения в тонкопленочных полевых транзисторах арсенид галлия, потому что у него сочетаются высокое собственное удельное сопротивление и очень высокая подвижность.
Другой заманчивой возможностью является использование для канала очень тонкой металлической пленки.

Дефекты в кристаллической структуре полупроводника создают новые энергетические состояния — ловушки, часть которых оказывается в запрещенной зоне кристалла, а это приводит к уменьшению собственного удельного сопротивления. Ловушки для электронов могут быть «мелкими» или «глубокими» (рис. 11). Кроме того, дефекты кристаллической решетки могут образовать центры рекомбинации. Хотя ловушки в конце концов и отдают захваченные электроны в зону проводимости (в то время как рекомбинация приводит к невозвратимой потере носителей), все же наличие ловушек вызывает перераспределение пространственного заряда в проводящем канале, а значит, и изменение характеристик триода. Электроны пребывают на мелких ловушках в течение времен порядка 10~8 сек, в то время как на глубоких ловушках они могут задержаться значительно дольше.
вплоть до нескольких часов или дней. Поскольку глазной причиной, по которой электроны покидают ловушки, является воздействие фононов, то время пребывания на ловушках уменьшается с ростом температуры.